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SI7137DP-T1-GE3

庫存 91900 pcs 參考價格(美元)
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$0.8249
製造商 型號:
SI7137DP-T1-GE3
廠商品牌
VISHAY
部分描述:
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
數據庫:
SI7137DP-T1-GE3.pdf
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存狀態:
原裝正品,有【 91900 】現貨庫存。
ECAD模型:
發貨地:
Hong Kong
發貨方式:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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型號 SI7137DP-T1-GE3
廠商品牌 VISHAY
庫存數量 91900 pcs Stock
產品分類 分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單
描述 MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
無鉛狀態/ RoHS狀態: 無鉛/符合RoHS
SI7137DP-T1-GE3 的Datasheets SI7137DP-T1-GE3 詳情[en].pdf
VGS(TH)(最大)@標識 1.4V @ 250µA
Vgs(最大) ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝 PowerPAK® SO-8
標準套餐 1
系列 TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 1.95 mOhm @ 25A, 10V
功率耗散(最大) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
零件狀態 Active
封装 Cut Tape (CT)
封裝/箱體 PowerPAK® SO-8
其他名稱 SI7137DP-T1-GE3CT
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL) 1 (Unlimited)
製造商標準交貨期 32 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態 Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds 20000pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 585nC @ 10V
FET型 P-Channel
FET特點 -
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) 2.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss) 20V
詳細說明 P-Channel 20V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
電流 - 25°C連續排水(Id) 60A (Tc)

封裝與靜電放電

電子元件採用行業標準靜電屏蔽包裝。防靜電、透光材料可輕鬆識別 IC 和 PCB 組件。
封裝結構基於法拉第籠原理提供靜電保護。這有助於保護敏感元件在搬運和運輸過程中免受靜電放電。


所有產品均採用 ESD 安全的防靜電包裝。外包裝標籤包括零件號、品牌和數量,以便清晰識別。貨物在裝運前經過檢查,以確保其狀況良好且真實。

在整個包裝、搬運和全球運輸過程中均保持 ESD 保護。安全包裝在運輸過程中提供可靠的密封和阻力。當需要保護敏感部件時,可以使用額外的緩衝材料。

質量控制(IC元件的部分測試)質量保證

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DHL / FedEx / TNT / UPS的全球發貨

運費參考DHL / FedEx
1)。您可以提供快遞帳戶進行運輸,如果您沒有任何快遞帳戶,我們可以提供我們的帳戶提前通知。
2)。使用我們的帳戶進行裝運,裝運費用(參考DHL / FedEx,不同國家/地區價格不同。)
運費: (參考DHL和FedEX)
重量(KG):0.00kg-1.00kg 價格(美元/美元):60.00美元
重量(KG):1.00kg-2.00kg 價格(美元/美元):80.00美元
*費用價格參考DHL / FedEx。詳細收費,請與我們聯繫。不同國家的快遞費用不同。



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