此外，英偉達的新型AI推理晶片Groq 3 LPU（語言處理單元）已外包給三星代工，並採用4奈米製程製造。三星代工業務總裁兼三星代工負責人韓鎮滿對穩定供應表示信心，並表示：“我們的4奈米製程技術絲毫不遜色。”
三星電子設備解決方案（DS）部門內存開發執行副總裁 Hwang Sang-joon 和總裁 Han Jin-man 於當地時間 3 月 16 日在加利福尼亞州聖何塞舉行的 GTC 2026 期間的三星電子展位上發表了上述講話。
三星電子半導體業務的主要高管親自出席 Nvidia 的 GTC、解釋產品並參加公共活動是很不尋常的。
首先，當被問及下一代 HBM 所採用的製程技術時，執行副總裁 Hwang Sang-joon 表示：“HBM5 核心晶片採用 1c 製程（第六代 10nm 級節點），而基礎晶片正在使用三星代工廠的 2nm 製程開發。”
三星計劃繼續使用適用於第六代 HBM4 的 1c 工藝，同時採用更先進的 2nm 工藝作為基礎晶片。
先前，三星電子率先將其1c DRAM應用於HBM4核心晶片，並領先於競爭對手，並使用三星代工廠的4奈米製程來製造基礎晶片。在此基礎上，該公司取得了領先業界的業績，並於 2 月成為第一家向 Nvidia 供應 HBM4 的公司。
執行副總裁 Hwang Sang-joon 表示：“對於 HBM5E，核心晶片將使用 1d nm 工藝，基礎晶片將使用三星代工的 2nm 工藝。”他補充道：“隨著半導體性能的不斷提高，我們將繼續將領先的工藝應用於 HBM5 和 HBM5E。”
韓鎮滿社長自2024年以來首次出席GTC，並在三星電子展位上親自介紹了該公司的代工技術。
他重點介紹了“Groq 3 LPU”，在英偉達首席執行官黃仁勳在 GTC 2026 主題演講中提到“三星電子正在製造它”後，該產品引起了廣泛關注。
Han Jin-man 表示：“我們目前正在平澤工廠採用 4 奈米製程生產 Groq 3 LPU。”他補充道，“今年的訂單量超出了預期。”
他繼續說道，“三星的HBM4基礎晶片也是採用4奈米製程製造的，因此我相信未來對4奈米製程的需求將大幅增長。”
對於Nvidia委託三星代工廠生產Groq 3 LPU的背景，韓金滿表示，“早在2023年，Nvidia收購Groq之前，我們就已經開始與Groq合作。我們的工程師直接參與了該項目，甚至協助設計工作。”
他強調，“當Nvidia和Groq開始合作時，我們擔心他們可能會選擇不同的代工廠，但他們一定評估了我們晶片的性能並認識到它們的強大潛力。我們的4nm工藝絲毫不遜色。”
當被問及Groq 3 LPU何時開始貢獻收入時，他回答說：“量產將於第三季度末或第四季度初開始。我們需要觀察市場反應，但我相信明年對Groq 3 LPU的需求將大幅上升。”
同時，韓鎮萬、黃尚俊當天在GTC會場與黃仁勳合影留念。照片中，黃先生親自在Groq 3 LPU晶圓上簽名並寫下“GROQ SUPER FAST”，並寫下“AMAGING HBM4！”在 HBM4 晶圓上。這兩款產品均由三星製造。