業內人士稱，韓國先進奈米製造中心(KANC)在其4吋砷化鎵(GaAs)變質高電子遷移率電晶體(mHEMT)製造製程中實現了超過95%的良率。消息人士補充說，這一結果表明該製程已達到適合商業化和大量生產的穩定性水準。
GaAs mHEMT 是由多種元素組成的化合物半導體元件，被廣泛認為是能夠克服矽基半導體物理限制的下一代材料平台。
與矽相比，砷化鎵的電子遷移率大約高出五到六倍，可實現強大的放大並最大限度地減少超高頻應用中的訊號失真。
該材料還滿足惡劣環境中嚴苛的可靠性要求，包括太空中的強輻射條件，並用於國防、航空航天和下一代通訊應用，例如主動電子掃描陣列 (AESA) 雷達和飛彈導引頭。
然而，砷化鎵比矽更脆且更難加工，歷史上矽的生產僅限於較小的 2 英吋和 3 英吋晶圓。韓國的製造基地落後國內設計能力，導致90%以上的關鍵零件依賴進口。
透過成功過渡到4吋晶圓平台，同時保持良率高於95%，KANC提高了生產效率和製程穩定性，支援了韓國的在地化工作。
KANC也開始開發用於單晶片微波積體電路（MMIC）設計的製程設計套件（PDK），為電路設計和模擬提供製程參數和模型資料。
該平台建成後，預計將使韓國無晶圓廠企業能夠利用KANC的4吋製程設計和製造高性能晶片，協助建構國內化合物半導體生態系統。
該研究所還正在準備多項目晶圓（MPW）服務，允許在單個晶圓上製造多個晶片設計。此舉預計將降低小型無晶圓廠公司的原型設計成本，縮短開發週期，並減少對海外代工廠的依賴，而海外代工廠通常涉及更高的成本和更長的交貨時間。