Micron 的 MT49H8M36BM-33:B 是一款高性能的動態顯存(DRAM)記憶體晶片，容量為 288Mb (8M x 36)。作為 Micron 旗下的 DRAM 產品系列成員，該記憶體晶片旨在滿足現代計算與儲存應用的需求。
功能方面，MT49H8M36BM-33:B 為揮發性記憶體，需持續供電以保持數據。其運行時脈頻率為 300MHz，存取時間為 20ns，確保快速資料存取與系統效率。
產品屬於集成電路（IC）範疇，具備記憶體裝置的專屬分類。144-BGA (18.5x11) 封裝以及 BGA144 配置，提供緊湊且多功能的設計，方便在各類電子主板與裝置上進行表面貼裝集成。
為應對設計挑戰，MT49H8M36BM-33:B 符合 RoHS（限制有害物質）標準，確保環境友善並符合相關法規。此外，它在 0°C 至 95°C（T C）範圍內運行，適用於多種應用環境。
該晶片的主要規格包括 1.7V 至 1.9V 的供電範圍、288Mb (8M x 36) 的記憶體容量，以及層級為 3 (168小時) 的抗潮敏感度等級（MSL），顯示其適合標準表面貼裝組裝流程。
MT49H8M36BM-33:B 的主要優點在於高速性能、大容量與緊湊封裝設計，使其成為消費電子、工業設備、嵌入式系統等多元應用的理想選擇。
在相容性方面，MT49H8M36BM-33:B 可用於需要高性能 DRAM 記憶體的各種裝置與系統，包括但不限於個人電腦、伺服器、網路設備與工業自動化系統。
雖然市場上有其他廠商提供的相似或替代型 DRAM 晶片，然而 MT49H8M36BM-33:B 由 Micron Technology 提供，作為記憶體與儲存解決方案的領先供應商，其產品具有良好的市場口碑與可靠性。
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具有288兆位（8兆×36）配置的DRAM記憶體IC，運行頻率為300MHz，支援快速高效的資料處理，20ns的存取時間確保高速度運作，適用於對性能要求嚴格的計算與伺服器系統。
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144-BGA封裝類型，散裝材質，尺寸為18.5x11毫米，便於表面組裝，提升可靠性與穩定性。
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適用於需要高速資料存取的應用場景，如電腦系統、伺服器及高性能遊戲主機等。
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本產品為一款符合高性能需求的DRAM記憶體，採用288Mb配置，運行於300MHz時脈，存取時間為20ns，確保資料傳輸快速且高效，適合高負載運算環境。
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具有3級（168小時）濕度敏感等級（MSL 3），確保在不同環境條件下仍具備良好的耐久性與性能，採用表面貼裝技術，提升物理連接的可靠性。
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適合需要平行記憶體介面的系統，且對電源電壓範圍為1.7V至1.9V的設備具有良好的匹配性。
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