型號 | DRA2123J0L |
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廠商品牌 | Panasonic |
庫存數量 | 18000 pcs Stock |
產品分類 | 分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT) - 單,預偏置 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | 無鉛/符合RoHS |
DRA2123J0L 的Datasheets | DRA2123J0L 詳情[en].pdf |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC | 250mV @ 500µA, 10mA |
晶體管類型 | PNP - Pre-Biased |
供應商設備封裝 | Mini3-G3-B |
系列 | - |
電阻器 - 發射器底座(R2) | 47 kOhms |
電阻器 - 基座(R1) | 2.2 kOhms |
功率 - 最大 | 200mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱 | DRA2123J0L-ND DRA2123J0LTR |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
詳細說明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 80 @ 5mA, 10V |
電流 - 集電極截止(最大) | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 100mA |
基礎部件號 | DRA2123 |