Micron Technology MT48LC16M16A2P-7E:D 是一款高性能的同步動態隨機存取記憶體（SDRAM）集成電路，專為需要穩健且高效記憶體解決方案的先進電子應用而設計。此無鉛、符合 RoHS 標準的記憶體晶片提供高達 256Mb（16M x 16）的存儲容量，非常適用於嵌入式系統、電信設備、工業計算機以及消費電子產品。
採用先進的 SDRAM 技術，此記憶體晶片的運作速度可達 133MHz，呈現卓越的性能，具有快速的 5.4ns 存取時間與 14ns 的寫入週期。該裝置專為表面貼裝應用而優化，並支援 3V 至 3.6V 的穩定工作電壓範圍，確保在各種電子平台上具有可靠的性能表現。
此記憶體晶片採用 54-TSOP II（薄型小型封裝）封裝，寬度約為 0.400 吋（10.16mm），提供緊湊且高效的整合方式，方便應用於現代電子設計中。它的耐用設計支持 0°C 至 70°C 的工作溫度範圍，適用於多樣的環境條件。
主要優點包括平行記憶體介面、揮發性記憶體配置及高速數據處理能力。其濕氣敏感性等級為 MSL 3，代表在標準製造及運作環境下具有良好的可靠性與壽命。
該系列產品的潛在相等或替代機型包括：
MT48LC16M16A2B-7E
MT48LC16M16A2B-7
MT48LC16M16A2-7
MT48LC16M16A2P-75
這款多功能記憶體解決方案特別適合需要高速且可靠記憶體性能的緊湊電子系統，例如網路設備、汽車電子、工業控制系統以及高階計算設備等應用領域。
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此記憶體IC採用同步動態記憶體技術（SDRAM），具有高速資料存取性能。容量為256Mb（16M x 16），工作頻率達133MHz，存取時間僅需5.4ns，符合54-TSOP II封裝標準，適用於高效能資料處理需求。具備高整合性與穩定的資料傳輸能力，能在多種應用場景中保持卓越表現，提升系統整體性能。
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此產品採用54-TSOP II封裝類型，尺寸為寬度10.16mm。其材料符合MSL Level 3級別，能經受168小時的高溫暴露測試，確保運輸及存儲過程中的品質穩定。封裝結構設計良好，便於表面貼裝，並提升散熱與耐用性，適合高密度電路板佈局。
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本記憶體專為需要高速資料讀取與處理的應用場景而設，如個人電腦、伺服器以及電信系統。適用於高要求的數據中心、雲端伺服器、企業存儲解決方案，以及各類先進電子設備，確保資料傳輸速度與系統穩定性。
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此記憶體IC採用同步SRAM技術，能同步傳輸資料，顯著提升資料存取速度。具備256Mb的DRAM格式，支持高達133MHz的時脈頻率，存取時間快速至5.4ns。平行界面設計，寫入周期為14ns，有效支持大資料量與快速資料處理任務，確保高效率運作。
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產品符合無鉛與RoHS環保標準，減少對環境的影響，保障用戶安全，遠離有害物質。其濕度敏感等級（MSL）為3級，需嚴格遵守處理和存放指引，以預防濕氣造成的損壞，確保產品在使用期間的最佳表現。
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專為與支持3V至3.6V供電範圍的系統進行無縫對接而設，並配合54-TSOP II表面黏著封裝類型。此設計確保在各種主板和系統平台中具有良好的兼容性與穩定性，便於整合與升級。
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