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Electro-Films (EFI) / Vishay
SI7194DP-T1-GE3 Image查看大圖
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請參閱產品詳細信息的規格。

SI7194DP-T1-GE3

製造商 型號:
SI7194DP-T1-GE3
廠商品牌
Electro-Films (EFI) / Vishay
部分描述:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
數據庫:
SI7194DP-T1-GE3.pdf
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存狀態:
原裝正品,有【 5389 】現貨庫存。
ECAD模型:
發貨地:
Hong Kong
發貨方式:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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型號 SI7194DP-T1-GE3
廠商品牌 Electro-Films (EFI) / Vishay
庫存數量 5389 pcs Stock
產品分類 分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單
描述 MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
無鉛狀態/ RoHS狀態: 無鉛/符合RoHS
SI7194DP-T1-GE3 的Datasheets SI7194DP-T1-GE3 詳情[en].pdf
VGS(TH)(最大)@標識 2.6V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝 PowerPAK® SO-8
系列 TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 2 mOhm @ 20A, 10V
功率耗散(最大) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
封装 Tape & Reel (TR)
封裝/箱體 PowerPAK® SO-8
其他名稱 SI7194DP-T1-GE3TR
SI7194DPT1GE3
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL) 1 (Unlimited)
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds 6590pF @ 15V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs 145nC @ 10V
FET型 N-Channel
FET特點 -
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) 4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss) 25V
詳細說明 N-Channel 25V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
電流 - 25°C連續排水(Id) 60A (Tc)

打包

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運費參考DHL / FedEx
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運費: (參考DHL和FedEX)
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