型號 | DDTB113EC-7-F |
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廠商品牌 | Diodes Incorporated |
庫存數量 | 9000 pcs Stock |
產品分類 | 分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT) - 單,預偏置 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | 無鉛/符合RoHS |
DDTB113EC-7-F 的Datasheets | DDTB113EC-7-F 詳情[en].pdf |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
晶體管類型 | PNP - Pre-Biased |
供應商設備封裝 | SOT-23-3 |
系列 | - |
電阻器 - 發射器底座(R2) | 1 kOhms |
電阻器 - 基座(R1) | 1 kOhms |
功率 - 最大 | 200mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱 | DDTB113EC-7-F-ND DDTB113EC-7-FDITR |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
頻率 - 轉換 | 200MHz |
詳細說明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 33 @ 50mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大) | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 500mA |
基礎部件號 | DTB113 |