型號 | NSBC114YDXV6T1 |
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廠商品牌 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
庫存數量 | 4920 pcs Stock |
產品分類 | 分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT) - 陣列,預偏置 |
描述 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | 包含鉛/ RoHS不合規 |
NSBC114YDXV6T1 的Datasheets | NSBC114YDXV6T1 詳情[en].pdf |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC | 250mV @ 300µA, 10mA |
晶體管類型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
供應商設備封裝 | SOT-563 |
系列 | - |
電阻器 - 發射器底座(R2) | 47 kOhms |
電阻器 - 基座(R1) | 10 kOhms |
功率 - 最大 | 500mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | SOT-563, SOT-666 |
其他名稱 | NSBC114YDXV6T1OS NSBC114YDXV6T1OS-ND NSBC114YDXV6TOSTR |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
頻率 - 轉換 | - |
詳細說明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 80 @ 5mA, 10V |
電流 - 集電極截止(最大) | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 100mA |
基礎部件號 | NSBC1* |