三星電子宣布已開始向全球主要客戶交付業界首款 12 高 48GB HBM4E 樣品。在最初的樣品發貨和優化過程之後，三星計劃根據客戶的開發計劃開始批量生產 HBM4E。
三星也表示，正在擴大產品陣容，將推出8高32GB和16高64GB版本，以滿足客戶多樣化的運算效能需求。
HBM（High Bandwidth Memory）是AI加速晶片的核心使能部件，其頻寬和容量直接影響AI訓練和推理的效率。
三星於2015年進入HBM市場，至今其產品已經經歷了十代的發展。2026年2月，三星開始量產HBM4，成為全球首家實現HBM4量產的公司。
據三星稱，12 高 HBM4E 是 HBM4 的增強型後繼產品，基於該公司的第六代 10 奈米級 (1c) DRAM 製程和三星代工廠製造的 4 奈米邏輯基礎晶片而構建。該新產品在性能、容量、功效和熱管理方面取得了重大進展，專為大型語言模型、生成式人工智慧和高效能運算應用而設計。與HBM4相比：
效能：HBM4E 提供穩定的每引腳 14 Gbps 資料速率，可擴展性高達 16 Gbps，以滿足不斷增長的資料處理需求。與HBM4相比，效能提升20%以上，同時每堆疊記憶體頻寬高達3.6TB/s，有助於最大限度地提高大規模模型和下一代AI系統的運算效能。
容量：HBM4E提供48GB容量，比上一代提升30%以上。三星也計劃根據客戶需求擴大產品陣容，包括32GB（8高）和64GB（16高）配置。
電源效率與熱性能：低功耗設計與封裝優化，使電源效率提高16%，熱阻降低14%以上，顯著增強散熱能力，有助於降低高負載AI資料中心環境的能耗。