三星電子計劃在2025年2月在美國2025年2月在美國2025年國際固態巡迴賽會議（ESSCC）上提供有關其1TB容量，400層三級牢房（TLC）NAND的詳細公告。預計將在明年下半年開始，儘管一些行業專家預測，如果該過程加速，最早可以在第二季度開始生產。
除400層NAND外，三星電子產品將從明年的高級產品線上增加產出。該公司計劃在其Pyeongtaek校園內安裝新的9代（286層）生產設施，每月容量為30,000–40,000瓦金夫。此外，三星的Xi'an工廠將繼續將其128層（V6）NAND生產線轉換為236層（V8）工藝。
400層NAND的開發代表了NAND Flash技術的一個重大飛躍，該技術從傳統的平面（2D）NAND發展到3D NAND。該技術涉及垂直堆疊存儲單元，以提高存儲密度和效率。三星為其400層NAND引入了一項“三重堆棧”技術，涉及將存儲單元疊加到三層中，這標誌著該領域的顯著進步。
目前，三星電子在NAND Flash中佔36.9％的全球市場份額。在SK Hynix激烈的競爭中，該公司保持領導才能。SK Hynix是2023年全球首次大量生產238層產品，最近宣布了321層NAND生產的開始。
NAND FLASH市場受到各種因素的影響，包括消費者需求，價格趨勢以及數據密集型應用程序（例如人工智能（AI）和數據中心）的增加。在全球AI繁榮的驅動下，數據中心的NAND的銷售正在上升。但是，11月的128GB多層電池（MLC）產品的固定交易價格在11月下降了29.8％，平均為2.16美元。TrendForce分析表明，儘管今年第四季度的NAND價格預計將下跌3％ - 8％，但企業級固態驅動器（SSD）價格預計將上漲高達5％。
當三星電子準備400層NAND的批量生產時，它也在努力優化晶圓產量。目前，研發階段的NAND收益率僅為10％–20％。成功將該技術轉移到生產線上對於實現更高的收益和滿足市場需求至關重要。