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Onemi引入了基於SIC的智能功率模塊,以降低能耗和系統成本

Onsemi(NASDAQ:ON)基於1200V矽碳化矽(SIC)Metal-Oxenductor-Senemenductor野外晶體管(MOSFET)技術,推出了其第一代SPM SPM 31智能功率模塊(IPM)系列。與第七代現場 - 停靠站(FS7)IGBT技術相比,Onsemi Elitesic SPM 31 IPM在超緊湊型套件中提供了較高的效率和功率密度,比市場上其他領先的解決方案的總體系統成本較低。這些IPM提高了熱性能,降低功率損失並支持高開關速度,使其非常適合三相頻率驅動應用,例如AI數據中心,熱泵,商業HVAC系統,伺服電機,機器人,機器人,可變頻率驅動器(VFD)以及工業泵中的電子通勤(EC)風扇。

Elitesic SPM 31 IPM補充了Onsemi的IGBT SPM 31 IPM投資組合,該投資組合涵蓋了從15a到35a的低電流評級,通過提供一系列當前評級為40a至70a。Onsemi現在在緊湊的軟件包中提供行業領先,高度可擴展和靈活的集成功率模塊解決方案。

隨著電氣化和AI應用的擴展,特別是隨著人工智能數據中心的越來越多,能源需求的增加,減少這些應用的能源消耗變得越來越重要。有效轉換電能的功率半導體在過渡到低碳世界中起著至關重要的作用。

隨著數據中心數量和規模的持續增長,對EC粉絲的需求也有望增加。這些冷卻風扇維護所有數據中心設備的最佳操作條件,以確保准確且不間斷的數據傳輸。SIC IPMS使EC粉絲能夠更有效,可靠地運作。

與其他工業應用中的壓縮機驅動器和泵一樣,與現有較大的IGBT解決方案相比,EC風扇需要更高的功率密度和效率。通過切換到Elitesic SPM 31 IPM,由於高集成,減少開發時間,降低整體系統成本以及切割溫室氣體排放,客戶受益於較小的佔地面積,增強性能和簡化設計。例如,與使用當前的IGBT功率集成模塊(PIM)的系統相比,在70%的負載下具有500W功率損失,採用高效的Elitesic Elitesic SPM 31 IPM可將年度能源消耗和每EC粉絲的成本降低52%。

完全集成的精英SPM 31 IPM包括一個獨立的高端柵極驅動器,低壓集成電路(LVIC),六個精英MOSFET和一個溫度傳感器(電壓溫度傳感器(VTS)或熱敏電阻)。基於行業領先的M3 SIC技術,該模塊降低了模具尺寸,並利用SPM 31套件來增強短路承受時間(SCWT)(SCWT),將其優化用於諸如工業可變頻率電動機驅動器之類的硬轉換應用。MOSFET採用三相橋樑結構,在低方面具有獨立的源連接,從而在選擇控制算法方面具有更大的靈活性。

此外,Elitesic SPM 31 IPM提供了以下好處:

•低損失,短路評級的M3精英MOSFET可防止災難性故障,例如電擊或火災。

•內置的欠壓保護(UVP)可防止當電壓下降太低時損壞。

•作為FS7 IGBT SPM 31的直接對手,客戶可以在使用相同的PCB設計時選擇不同的當前評分。

•獲得UL認證,符合國家和國際安全標準。

•單座電源可增強安全性,設備保護和降噪。

•簡化設計和減少了客戶的PCB足跡。