全球記憶體市場持續分化，韓國兩大記憶體製造商專注於1c DRAM和HBM產能擴張，同時放慢了下一代NAND快閃開發步伐。這項轉變為 Kioxia-Sandisk 聯盟創造了一個寶貴的市場窗口。
根據《環球經濟》引述德國科技媒體 ComputerBase 報道，Kioxia 和 Sandisk 將大幅增加 NAND 投資，利用其技術和生產能力來抓住 AI 資料中心儲存市場的需求。
數據顯示，美日NAND聯盟本財年計畫支出45億美元資本支出，相當於6.75兆韓元，較去年同期成長41%。此次投資將主要集中在第十代BiCS架構NAND產品上。
根據日經新聞報道，鎧俠計劃於 2026 年在日本岩手縣北上工廠開始量產下一代 NAND。產品架構將從第八代 218 層 NAND 推進到 332 層 NAND。生產將使用去年9月開始營運的K2生產線，使公司能夠更好地利用現有的製造資源。
最新的產能擴張是由人工智慧產業的結構性需求成長所推動的。隨著人工智慧發展從基礎設施訓練建設轉向大規模推理部署，對高效能、大容量儲存產品的需求持續成長。主要雲端服務供應商正在將更多的資料中心資本支出分配給存儲，而每個 GPU 的 SSD 容量同比增長了一倍。下一代 AI 伺服器現在普遍配備每個 GPU 數十 TB 的儲存空間，進一步推動了對高階 NAND 的需求。
根據 ZDNet 報導，鎧俠已將量產第十代 BiCS NAND 作為 2026 財年的核心目標。與上一代 218 層相比，新產品單位面積儲存密度提升 59%，資料傳輸速度提升 33%。其主要技術優勢在於以更少的堆疊層數實現超高儲存密度，有助於簡化垂直刻蝕，減少先進設備的磨損，降低晶圓翹曲缺陷，並顯著提高生產成本。其QLC架構的密度可達37.6Gb/mm²，優於三星計畫的430層V10架構產品。
與美國和日本公司積極擴張產能相反，韓國記憶體製造商普遍放緩了 NAND 技術路線圖。TrendForce數據顯示，全球主要NAND供應商預計2026年新增產能很少甚至沒有。三星將其第十代430層NAND的量產推遲到2027年之後，並且尚未最終確定設備採購訂單。
產業分析師認為，如果Kioxia和Sandisk繼續改善成本並加速企業級QLC SSD的採用，他們可以進一步擴大在AI資料中心儲存市場的份額。三星和SK海力士在成熟的九代產品良率和強大的政府和企業客戶關係的支持下，將保持高度競爭力。全球NAND產業預計將進入新的競爭階段。