該新設備由美國空軍研究實驗室（AFRL）太空車輛局資助，並與微電子研究開發公司（Micro-RDC）共同開發。它基於Infineon驗證的Sonos（矽底物 - 靠近氧化物氧化物層誘捕硝酸鹽氧化物氧化物層 - 聚晶型柵極）電荷陷阱技術，與低密度替代方案相比，運行速度高達30％。
AFRL的太空技術技術計劃經理Richard Marquez表示：“下一代太空系統的設計師越來越要求高度可靠，高密度的記憶。我們與Infineon和Micro-RDC等行業領導者的合作導致了解決方案的發展與替代技術相比，這結合了高密度，高數據傳輸速率和出色的輻射性能。”
Micro-RDC總裁約瑟夫·庫奇亞羅（Joseph Cuchiarro）評論說：“ Infineon的輻射訓練和閃存可以補充Micro-RDC的極端環境解決方案。通過引入512 MBIT密度設備，設計師現在可以建立高性能係統來滿足嚴格的需求比以往任何時候都更廣泛的任務類型。”
Infineon的航空航天與國防業務副總裁Helmut Puchner表示：“ Infineon 512 Mbit Nor Flash家族的擴展，包括輻射硬化的記憶進一步表明我們致力於為下一代領域提供高度可靠，高性能的記憶解決方案要求我們與AFRL和Micro-RDC的合作，並使用改善關鍵衛星功能的解決方案來解決空間應用中遇到的極端環境。”
Infineon的Sonos技術獨特地將密度和速度與高級輻射性能相結合，提供高達10,000個P/E週期的出色耐用性和10年的數據保留期。133 MHz QSPI接口為空間級FPGA和處理器提供了高數據傳輸速率。它有兩個包裝：一個陶瓷QFP（QML-V），其板面積為1“ x 1”和一個較小的0.5“ x 0.8”塑料TQFP（QML-P）包裝。此外，該設備為Space FPGA引導代碼解決方案提供了最高的密度TID/請參閱性能組合。其QML-V/P軟件包已通過DLAM認證，並滿足了最嚴格的行業資格要求。
該設備的典型用例包括用於空間級FPGA的配置圖像和空間級多核處理器的獨立引導代碼存儲。