賓夕法尼亞州利哈伊谷（Lehigh Valley），2025年8月28日 - 理想的半導體宣布，其200 V Superq™MOSFET系列中的第一款產品已進入大規模生產，現在有四個200 V設備作為示例可用。
SUPERQ代表了25年來矽MOSFET技術的第一個主要進步，突破了長期的切換和傳導限制。它在保留矽的核心優勢的同時，可以實現性能和效率的逐步變化：堅固性，高量的生產性和175°C的可靠操作。
達到質量生產的第一個200 V設備是IS20M028S1P，這是TO-220包裝中的25MΩMOSFET。Ideal的最低抗性200 V設備現在在TOLL和D²PAK-7L軟件包中進行採樣，最大RDS（ON）僅為5.5MΩ。這為性能設定了新的基準，阻力比當前市場領導者低1.2倍，比第二好的競爭對手低1.7倍。
理想半導體的首席執行官兼創始人馬克·格拉納漢（Mark Granahan）說：“通過將Superq擴展到200 V，理想證明了矽創新還遠遠沒有結束。” “這些結果表明，我們可以提供最低的阻力和出色的切換性能，同時保持矽的製造性，可靠性和成本優勢。這對我們的公司和尋求提高效率提高的客戶來說是一個重要的里程碑。”
200 V SuperQ系列的目標應用包括電動機驅動器，LED照明，電池保護，AI服務器，隔離的DC/DC電源模塊，USB-PD適配器和太陽能。現在有了生產和行業領先樣本的設備，理想正在加速與高增長電力市場中的客戶的合作。