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自主研發! NanyaTech的10nm DRAM技術終於有了新突破

據台灣《聯合日報》報導,南亞分公司總經理李培英10日宣布,他已完成10納米DRAM技術的自主研發,並將於今年下半年開始試生產。

據悉,全球DRAM內存芯片主要由三星,SK海力士和美光公司控制。他們的份額超過95%。關鍵原因是這三項技術專利形成了很高的門檻。其他公司很難突破。 。

南亞分公司現在專注於20nm技術,技術來源為美光。通過將Nanya的10納米工藝引入獨立技術,這意味著將來它將不再依賴Micron的授權,並且每種產品均由該公司自己開發。成本大大降低。

李培英說,南亞克已經成功開發了一種用於10nm DRAM的新存儲器生產技術,這使DRAM產品可持續縮水至少有三個時代。第一代10nm領先產品8Gb DDR4,LPDDR4和DDR5將建立在獨立的工藝技術和產品技術平台上,並將於2020年下半年進入產品試生產階段。

第二代10納米製程技術已經開始研發,預計將在2022年開始試生產。未來將開發第三代10納米製程技術。他強調,進入10納米製程後,南亞將專注於自主研發技術,降低許可成本並大大提高效率。

隨著10納米工藝的發展,南亞去年的資本支出將超過55億元。李培英說,南亞除了成功降低成本外,還成功地自主開發了10納米工藝技術,這將有助於抓住發展機遇和向高密度新產品邁進的技術進步。