TP65H050WS / TP65H035WS第三代（第三代）氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）

Transphorm的GaN FET通過降低電磁干擾（EMI）和提高抗噪性來實現更安靜的切換

Transphorm的TP65H050WS和TP65H035WS是Gen III 650 V GaN FET。它們可以降低EMI，提高柵極噪聲抗擾度，並在電路應用中提供更大的裕量。 50米和歐米茄; TP65H050WS和35米&歐米茄; TP65H035WS採用標準TO-247封裝。

MOSFET和設計修改使Gen III器件能夠從2.1 V（Gen II）提供更高的閾值電壓（抗噪聲）至4 V，從而無需負柵極驅動。柵極可靠性從第二代增加了11％，最高達到+ 20伏。這樣可以實現更安靜的切換，並且該平台可通過簡單的外部電路在更高的電流水平下提供性能改善。

Seasonic Electronics公司的1600T是1600 W無橋圖騰柱平台，使用這些高壓GaN FET為電池充電器（電動滑板車，工業等），PC電源，服務器帶來99％的功率因數校正（PFC）效率和遊戲市場。將這些FET與基於矽的平台1600T一起使用的好處包括效率提高2％，功率密度提高20％。

1600T平台採用Transphorm的TP65H035WS，可提高硬開關和軟開關電路的效率，並在設計電源系統產品時為用戶提供選擇。 TP65H035WS與常用的柵極驅動器配對，簡化了設計。